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海科思测量硅片厚度:高精度打破技术上限

文章出处:网责任编辑:作者:人气:-发表时间:2019-10-15 17:39:00

 半导体芯片在以往并不会引起太多企业或者个人关注,但是今年因为各种限制导致企业嗅到了一丝危险的气味,纷纷加入研发半导体芯片的行列当中,再加上国家的大力扶持,芯片热潮相信还会一直持续下去。为什么企业会这么主动?因为半导体芯片是现代社会的核心“零件”之一,超级计算机离不开它,手机更不用说,它也下得了厨房,电饭煲、冰箱里也有它,可以说脱离了芯片就等于与科技说再见,所以企业不再对它熟视无睹了。

 

硅片制备要经过衬底制备和外延工艺两大环节,其中的工艺标准都有所不同,在这里不进行阐述。在经过表面抛光后就需要进行质量检测(厚度、晶向、平整度、平行度和损伤层),硅片厚度测量需要使用非接触厚度测量仪进行测量,因为硅片经过切片之后厚度精度达到了μm级而且精度要求非常之高,加上不能接触硅片进行抛光工序之后的表面,不然硅片表面被划伤质量等级就会下降激光测厚仪采用的光路与激光联合技术,二套光路可实现自动切换,轻松实现高速测量,还有大优点就是精度高,加上非接触测量对硅片不会有损伤,海科思厚度激光测量仪成为了测量硅片厚度的更好选择。

 

由于设备较多,未能详尽介绍,如未发现合适设备者请致电海科思020-39980795,我们技术将为您发送相关设备资料。

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